单芯片电容测量方案PCAP01原理
1 前言
对于电容传感器的测量来说，传统的电路方式有其无法克服的局限性。复杂的模拟电路设计，难以扩展的电容测量范围，都会给开发带来非常大的阻力。
德国acam公司专利的PICOCAP®测量原理则给电容测量提供了革命性的突破。在2011年推出了最新的带有内部DSP单片机的单芯片电容测量方案PCAP01, 这个芯片会使电容测量提高到一个前所未有的水平。
2.概述
PCap01为带有单片机处理单元的一款专门进行电容测量的电容数字转换单芯片方案。这颗芯片测量范围覆盖了从几fF到几百nF，而且可以非常简单的通过配置来满足各种不同应用的需求。PCap01既适合超低功耗最低至几个uA的测量，也适合高精度达到21位有效位的高性能测量，还可以进行最高达50万次每秒钟的快速测量。这颗芯片提供了对于高精度测量,低功耗测量以及快速测量应用的的完美结合。传感器数据可以在芯片内部进行现行校准，然后通过SPI或者IIC数据串行接口进行传送。另外，芯片还可以通过IO口来发送 PWM/PDM 输出电压信号。其余的IO口可以作为中断管脚，水平报警信号管脚或者普通IO口来应用。
PCap01 有非常小的QFN封装尺寸，仅需要极少数量的外部元器件 (至少需要2个外部双通电容) ，使整个系统的设计非常紧凑而且降低成本，适合很广泛的电容测量。
3. PICOCAP 测量原理介绍
PICOCAP 测量原理展示了对于电容测量的新的革命性的方式。在这个原理中，一个传感器的电容和一个参考电容被连接到同一个放电电阻，组成了一个Low-pass低通滤波。
电容首先被充电到电源电压，然后通过电阻进行放电。而放电到一个可控制阚值电压的水平将会被芯片内部的非常高精度时间数字转换器TDC所记录下来。
这个测量过程将会在传感器和参考电容上重复交错进行，应用同样的电阻。计算的结果是测量的比值结果，是与电阻和比较器温度相关性有关。传感器和参考电容数值的选择应该为统一范围来降低增益偏移。实践角度讲，对于被测电容没有大小的限制。传感器几乎可以从0fF到几十nf。PICOCAP同时也支持差动电容传感器的测量带有内部的线性补偿。
4. PCAP01芯片主要特点
Pcap01芯片为一颗单芯片电容测量方案，犹如下一些特性：
一颗芯片可以适合多种应用，测量灵活性非常高:
a) 低测量功耗，在10Hz最低仅2 µA
b) 测量精度最高达 22 位有效位, 4 aF rms 精度
c) 测量频率可以最高达500 kHz
非常宽的电容测量范围, 从几 fF 到上百nF
超低增益和offset漂移
18 位高分辨率温度测量
48-位 DSP, 4k byte OTP, 4k byte SRAM
内部或者外部时钟振荡
最多可以支持6个IO口
IIC, SPI, PWM, PDM 接口
宽的电源电压范围从2.1 V 到 3.6 V
宽操作温度范围( -40 ℃ 到 +125℃)
QFN32 或者 QFN24 封装
内部结构原理图：
Pcap01发挥了PICOCAP®测量原理的高精度优势，使电容测量达到了一个前所未有的水平。根据传感器和参考电容大小不同，以及所选择的测量模式的不同，我们有如下测量数据。这个测量数据为典型测量噪声精度vs.数据输出频率, 我们的测试是应用Pcap01评估系统以及10pF参考电容和1pf的Span加载电容完成。芯片的电压为 V = 3.0 V：
上面表格中可以 看到，我们分别给出了floating漂移模式和Grounded接地模式两种情况。当应用漂移模式，完全补偿的情况下，在5Hz输出时测量的RMS噪声为6aF，测量有效位高达20.7位!在选择不同测量频率的不同设置情况下，精度和速度的相对关系在表格中给出。 当然随基础电容大小不同，测量的有效分辨率也会有所不同。
当应用补偿模式进行高精度测量时，可以使测量有非常低的增益和零点漂移。电容可以连接为接地，漂移模式。而传感器和参考电容是通过内部集成的模拟开关选择到放电网路中。另外由于专利的电路和补偿算法，内部可以补偿寄生电容。补偿的结果可以达到在温度范围内仅0.5 ppm /K 增益偏移。这比绝大多数传感器本身内部偏移要好得多。
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